Список комплектующих, который есть на нашем складе в Санкт-Петербурге и доступен для заказа.
Подробнее

КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторы малой мощностиТранзисторы маломощныеYJS15G10B

YJS15G10B, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 15А; Idm: 15А; 4Вт; SOP8, YANGJIE TECHNOLOGY

Арт:
YJS15G10B, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 15А; Idm: 15А; 4Вт; SOP8, YANGJIE TECHNOLOGY
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: YJS15G10B
  • Производитель: YANGJIE TECHNOLOGY
  • Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 15А; Idm: 15А; 4Вт; SOP8
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Технические параметры
    • Drain current: 15A
    • Gate charge: 60.7nC
    • Channel kind: enhanced
    • Polarisation: unipolar
    • Kind of package: tape
    • Gate-source voltage: ±20V
    • Drain-source voltage: 100V
    • Pulsed drain current: 15A
    • Mounting: SMD
    • Case: SOP8
    • Type of transistor: N-MOSFET
    • On-State Resistance: 12.5mΩ
    • Power dissipation: 4W