КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторы малой мощностиТранзисторы маломощныеP10F50HP2-5600

P10F50HP2-5600, Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; полевой; 500В; 10А; Idm: 40А; 79Вт, SHINDENGEN

Арт:
P10F50HP2-5600, Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; полевой; 500В; 10А; Idm: 40А; 79Вт, SHINDENGEN
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: P10F50HP2-5600
  • Производитель: SHINDENGEN
  • Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; полевой; 500В; 10А; Idm: 40А; 79Вт
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; полевой; 500В; 10А; Idm: 40А; 79Вт Технические параметры
    • Case: FTO-200AG (SC91)
    • Channel kind: enhanced
    • Drain current: 10A
    • Drain-source voltage: 500V
    • Gate charge: 20нКл
    • Gate-source voltage: ±30V
    • Kind of package: bulk
    • Manufacturer: SHINDENGEN
    • Mounting: THT
    • On-State Resistance: 750mΩ
    • Polarisation: unipolar
    • Power dissipation: 79W
    • Pulsed drain current: 40A
    • Technology: Hi-PotMOS2
    • Type of transistor: N-MOSFET