КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторы малой мощностиТранзисторы маломощныеP12F60HP2-5600

P12F60HP2-5600, Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; полевой; 600В; 12А; Idm: 48А; 90Вт, SHINDENGEN

Арт:
P12F60HP2-5600, Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; полевой; 600В; 12А; Idm: 48А; 90Вт, SHINDENGEN
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: P12F60HP2-5600
  • Производитель: SHINDENGEN
  • Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; полевой; 600В; 12А; Idm: 48А; 90Вт
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Технические параметры
    • Case: FTO-200AG (SC91)
    • Channel kind: enhanced
    • Drain current: 12A
    • Drain-source voltage: 600V
    • Gate charge: 26.5нКл
    • Gate-source voltage: ±30V
    • Kind of package: bulk
    • Manufacturer: SHINDENGEN
    • Mounting: THT
    • On-State Resistance: 670mΩ
    • Polarisation: unipolar
    • Power dissipation: 90W
    • Pulsed drain current: 48A
    • Technology: Hi-PotMOS2
    • Type of transistor: N-MOSFET