P22F10SN-5600, Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; полевой; 100В; 22А; Idm: 66А; 35Вт, SHINDENGEN
Арт:
- добавить в избранное
- Арт:
- Наименование: P22F10SN-5600
- Производитель: SHINDENGEN
- Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; полевой; 100В; 22А; Idm: 66А; 35Вт
- Склад:
Технические параметры
- Case: FTO-200AG (SC91)
- Channel kind: enhanced
- Drain current: 22A
- Drain-source voltage: 100V
- Gate charge: 34нКл
- Gate-source voltage: ±20V
- Kind of package: bulk
- Manufacturer: SHINDENGEN
- Mounting: THT
- On-State Resistance: 28mΩ
- Polarisation: unipolar
- Power dissipation: 35W
- Pulsed drain current: 66A
- Technology: EETMOS3
- Type of transistor: N-MOSFET
Документация
tm_shindengen catalogue 2020.pdf