КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторы малой мощностиТранзисторы маломощныеP30W60HP2V-5100

P30W60HP2V-5100, Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; полевой; 600В; 30А; Idm: 120А, SHINDENGEN

Арт:
P30W60HP2V-5100, Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; полевой; 600В; 30А; Idm: 120А, SHINDENGEN
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: P30W60HP2V-5100
  • Производитель: SHINDENGEN
  • Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; полевой; 600В; 30А; Idm: 120А
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Технические параметры
    • Case: MTO3PV (TO247AD)
    • Channel kind: enhanced
    • Drain current: 30A
    • Drain-source voltage: 600V
    • Gate charge: 70нКл
    • Gate-source voltage: ±30V
    • Kind of package: tube
    • Manufacturer: SHINDENGEN
    • Mounting: THT
    • On-State Resistance: 230mΩ
    • Polarisation: unipolar
    • Power dissipation: 310W
    • Pulsed drain current: 120A
    • Technology: Hi-PotMOS2
    • Type of transistor: N-MOSFET