Список комплектующих, который есть на нашем складе в Санкт-Петербурге и доступен для заказа.
Подробнее

КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторы малой мощностиТранзисторы маломощныеP4F60HP2-5600

P4F60HP2-5600, Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; полевой; 600В; 4А; Idm: 16А, SHINDENGEN

Арт:
P4F60HP2-5600, Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; полевой; 600В; 4А; Idm: 16А, SHINDENGEN
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: P4F60HP2-5600
  • Производитель: SHINDENGEN
  • Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; полевой; 600В; 4А; Idm: 16А
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Технические параметры
    • Technology: Hi-PotMOS2
    • Drain current: 4A
    • Gate charge: 12.5nC
    • Channel kind: enhanced
    • Polarisation: unipolar
    • Kind of package: bulk
    • Gate-source voltage: ±30V
    • Drain-source voltage: 600V
    • Pulsed drain current: 16A
    • Mounting: THT
    • Case: FTO-200AG (SC91)
    • Type of transistor: N-MOSFET
    • On-State Resistance: 1.8Ω
    • Power dissipation: 62.5W