КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторы малой мощностиТранзисторы маломощныеP5F60HP2-5600

P5F60HP2-5600, Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; полевой; 600В; 5А; Idm: 20А; 65Вт, SHINDENGEN

Арт:
P5F60HP2-5600, Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; полевой; 600В; 5А; Idm: 20А; 65Вт, SHINDENGEN
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: P5F60HP2-5600
  • Производитель: SHINDENGEN
  • Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; полевой; 600В; 5А; Idm: 20А; 65Вт
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; полевой; 600В; 5А; Idm: 20А; 65Вт Технические параметры
    • Case: FTO-200AG (SC91)
    • Channel kind: enhanced
    • Drain current: 5A
    • Drain-source voltage: 600V
    • Gate charge: 15нКл
    • Gate-source voltage: ±30V
    • Kind of package: bulk
    • Manufacturer: SHINDENGEN
    • Mounting: THT
    • On-State Resistance: 1.4Ω
    • Polarisation: unipolar
    • Power dissipation: 65W
    • Pulsed drain current: 20A
    • Technology: Hi-PotMOS2
    • Type of transistor: N-MOSFET