КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторы малой мощностиТранзисторы маломощныеP66F7R5SN-5600

P66F7R5SN-5600, Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; полевой; 75В; 66А; Idm: 264А; 51Вт, SHINDENGEN

Арт:
P66F7R5SN-5600, Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; полевой; 75В; 66А; Idm: 264А; 51Вт, SHINDENGEN
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: P66F7R5SN-5600
  • Производитель: SHINDENGEN
  • Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; полевой; 75В; 66А; Idm: 264А; 51Вт
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; полевой; 75В; 66А; Idm: 264А; 51Вт Технические параметры
    • Case: FTO-200AG (SC91)
    • Channel kind: enhanced
    • Drain current: 66A
    • Drain-source voltage: 75V
    • Gate charge: 115нКл
    • Gate-source voltage: ±20V
    • Kind of package: bulk
    • Manufacturer: SHINDENGEN
    • Mounting: THT
    • On-State Resistance: 5mΩ
    • Polarisation: unipolar
    • Power dissipation: 51W
    • Pulsed drain current: 264A
    • Technology: EETMOS3
    • Type of transistor: N-MOSFET