КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторы малой мощностиТранзисторы маломощныеDMN63D8LDW-13

DMN63D8LDW-13, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 0,17А; Idm: 0,8А; 0,4Вт, Diodes/Zetex

Арт:
DMN63D8LDW-13, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 0,17А; Idm: 0,8А; 0,4Вт, Diodes/Zetex
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: DMN63D8LDW-13
  • Производитель: Diodes/Zetex
  • Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 0,17А; Idm: 0,8А; 0,4Вт
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 0,17А; Idm: 0,8А; 0,4Вт Технические параметры
    • Case: SOT363
    • Channel kind: enhanced
    • Drain current: 0.17A
    • Drain-source voltage: 30V
    • Features of semiconductor devices: ESD protected gate
    • Gate-source voltage: ±20V
    • Kind of package: tape
    • Manufacturer: Diodes/Zetex
    • Mounting: SMD
    • On-State Resistance: 4.5Ω
    • Polarisation: unipolar
    • Power dissipation: 0.4W
    • Pulsed drain current: 0.8A
    • Type of transistor: N-MOSFET x2