G3R160MT17D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 15А; Idm: 48А; 175Вт, GeneSiC
Арт:
- добавить в избранное
- Арт:
- Наименование: G3R160MT17D
- Производитель: GeneSiC
- Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 15А; Idm: 48А; 175Вт
- Склад:
Изображение товара дано только в качестве иллюстрации.
См. спецификацию продукта (pdf)
Технические параметры
- Case: TO247-3
- Channel kind: enhanced
- Drain current: 15A
- Drain-source voltage: 1.7kV
- Gate charge: 21нКл
- Gate-source voltage: -5...15V
- Kind of package: tube
- Manufacturer: GeneSiC
- Mounting: THT
- On-State Resistance: 160mΩ
- Polarisation: unipolar
- Power dissipation: 175W
- Pulsed drain current: 48A
- Technology: SiC
- Type of transistor: N-MOSFET
