КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторы малой мощностиТранзисторы маломощныеG3R160MT17D

G3R160MT17D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 15А; Idm: 48А; 175Вт, GeneSiC

Арт:
G3R160MT17D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 15А; Idm: 48А; 175Вт, GeneSiC
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: G3R160MT17D
  • Производитель: GeneSiC
  • Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 15А; Idm: 48А; 175Вт
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Технические параметры
    • Technology: SiC
    • Drain current: 15A
    • Gate charge: 21nC
    • Channel kind: enhanced
    • Polarisation: unipolar
    • Kind of package: tube
    • Gate-source voltage: -5...15V
    • Drain-source voltage: 1.7kV
    • Pulsed drain current: 48A
    • Mounting: THT
    • Case: TO247-3
    • Type of transistor: N-MOSFET
    • On-State Resistance: 160mΩ
    • Power dissipation: 175W