КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторы малой мощностиТранзисторы маломощныеYJS2022A

YJS2022A, Транзистор: P-MOSFET; TRENCH POWER MV; полевой; 20В; -10,4А; 3Вт, YANGJIE TECHNOLOGY

Арт:
YJS2022A, Транзистор: P-MOSFET; TRENCH POWER MV; полевой; 20В; -10,4А; 3Вт, YANGJIE TECHNOLOGY
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: YJS2022A
  • Производитель: YANGJIE TECHNOLOGY
  • Доп.наименование: Транзистор: P-MOSFET; TRENCH POWER MV; полевой; 20В; -10,4А; 3Вт
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Технические параметры
    • Technology: TRENCH POWER MV
    • Drain current: -10.4A
    • Gate charge: 72.8nC
    • Channel kind: enhanced
    • Polarisation: unipolar
    • Kind of package: tape
    • Gate-source voltage: ±10V
    • Drain-source voltage: 20V
    • Pulsed drain current: -55A
    • Mounting: SMD
    • Case: SOP8
    • Type of transistor: P-MOSFET
    • On-State Resistance: 26mΩ
    • Power dissipation: 3W