Список комплектующих, который есть на нашем складе в Санкт-Петербурге и доступен для заказа.
Подробнее

КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторы малой мощностиТранзисторы маломощныеFDA16N50-F109

FDA16N50-F109, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 9,9А; Idm: 66А; 205Вт; TO3PN, ON SEMICONDUCTOR

Арт:
FDA16N50-F109, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 9,9А; Idm: 66А; 205Вт; TO3PN, ON SEMICONDUCTOR
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: FDA16N50-F109
  • Производитель: ON SEMICONDUCTOR
  • Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 9,9А; Idm: 66А; 205Вт; TO3PN
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Технические параметры
    • Technology: UniFET™
    • Drain current: 9.9A
    • Gate charge: 45nC
    • Channel kind: enhanced
    • Polarisation: unipolar
    • Kind of package: tube
    • Gate-source voltage: ±30V
    • Drain-source voltage: 500V
    • Pulsed drain current: 66A
    • Mounting: THT
    • Case: TO3PN
    • Type of transistor: N-MOSFET
    • On-State Resistance: 380mΩ
    • Power dissipation: 205W