FDA16N50-F109, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 9,9А; Idm: 66А; 205Вт; TO3PN, ON SEMICONDUCTOR
Арт:
- добавить в избранное
- Арт:
- Наименование: FDA16N50-F109
- Производитель: ON SEMICONDUCTOR
- Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 9,9А; Idm: 66А; 205Вт; TO3PN
- Склад:
Изображение товара дано только в качестве иллюстрации.
См. спецификацию продукта (pdf)
Технические параметры
- Technology: UniFET™
- Drain current: 9.9A
- Gate charge: 45nC
- Channel kind: enhanced
- Polarisation: unipolar
- Kind of package: tube
- Gate-source voltage: ±30V
- Drain-source voltage: 500V
- Pulsed drain current: 66A
- Mounting: THT
- Case: TO3PN
- Type of transistor: N-MOSFET
- On-State Resistance: 380mΩ
- Power dissipation: 205W