КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторы малой мощностиТранзисторы маломощныеFDA59N25

FDA59N25, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 35А; Idm: 236А; 392Вт; TO3PN, ON SEMICONDUCTOR

Арт:
FDA59N25, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 35А; Idm: 236А; 392Вт; TO3PN, ON SEMICONDUCTOR
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: FDA59N25
  • Производитель: ON SEMICONDUCTOR
  • Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 35А; Idm: 236А; 392Вт; TO3PN
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 35А; Idm: 236А; 392Вт; TO3PN Технические параметры
    • Case: TO3PN
    • Channel kind: enhanced
    • Drain current: 35A
    • Drain-source voltage: 250V
    • Gate charge: 82нКл
    • Gate-source voltage: ±30V
    • Kind of package: tube
    • Manufacturer: ON SEMICONDUCTOR
    • Mounting: THT
    • On-State Resistance: 49mΩ
    • Polarisation: unipolar
    • Power dissipation: 392W
    • Pulsed drain current: 236A
    • Type of transistor: N-MOSFET