КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторы малой мощностиТранзисторы маломощныеFDMA2002NZ

FDMA2002NZ, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 2,9А; Idm: 10А; 1,5Вт, ON SEMICONDUCTOR

Арт:
FDMA2002NZ, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 2,9А; Idm: 10А; 1,5Вт, ON SEMICONDUCTOR
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: FDMA2002NZ
  • Производитель: ON SEMICONDUCTOR
  • Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 2,9А; Idm: 10А; 1,5Вт
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 2,9А; Idm: 10А; 1,5Вт Технические параметры
    • Case: MicroFET
    • Channel kind: enhanced
    • Drain current: 2.9A
    • Drain-source voltage: 30V
    • Features of semiconductor devices: ESD protected gate
    • Gate charge: 3нКл
    • Gate-source voltage: ±12V
    • Manufacturer: ON SEMICONDUCTOR
    • Mounting: SMD
    • On-State Resistance: 268mΩ
    • Polarisation: unipolar
    • Power dissipation: 1.5W
    • Pulsed drain current: 10A
    • Type of transistor: N-MOSFET x2