КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторы малой мощностиТранзисторы маломощныеFQD5P10TM

FQD5P10TM, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -2,28А; Idm: -14,4А; 25Вт, ON SEMICONDUCTOR

Арт:
FQD5P10TM, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -2,28А; Idm: -14,4А; 25Вт, ON SEMICONDUCTOR
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: FQD5P10TM
  • Производитель: ON SEMICONDUCTOR
  • Доп.наименование: Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -2,28А; Idm: -14,4А; 25Вт
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -2,28А; Idm: -14,4А; 25Вт Технические параметры
    • Case: DPAK
    • Channel kind: enhanced
    • Drain current: -2.28A
    • Drain-source voltage: -100V
    • Gate charge: 8.2нКл
    • Gate-source voltage: ±30V
    • Manufacturer: ON SEMICONDUCTOR
    • Mounting: SMD
    • On-State Resistance: 1.05Ω
    • Polarisation: unipolar
    • Power dissipation: 25W
    • Pulsed drain current: -14.4A
    • Type of transistor: P-MOSFET