КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторы малой мощностиТранзисторы маломощныеGAN041-650WSBQ

GAN041-650WSBQ, Транзистор: N-JFET/N-MOSFET; GaN; полевой; HEMT,каскодный; 650В, NEXPERIA

Арт:
GAN041-650WSBQ, Транзистор: N-JFET/N-MOSFET; GaN; полевой; HEMT,каскодный; 650В, NEXPERIA
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: GAN041-650WSBQ
  • Производитель: NEXPERIA
  • Доп.наименование: Транзистор: N-JFET/N-MOSFET; GaN; полевой; HEMT,каскодный; 650В
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: N-JFET/N-MOSFET; GaN; полевой; HEMT,каскодный; 650В Технические параметры
    • Case: TO247
    • Drain current: 33.4A
    • Drain-source voltage: 650V
    • Gate charge: 22нКл
    • Gate-source voltage: ±20V
    • Kind of package: tube
    • Manufacturer: NEXPERIA
    • Mounting: THT
    • On-State Resistance: 35mΩ
    • Polarisation: unipolar
    • Power dissipation: 187W
    • Pulsed drain current: 240A
    • Technology: GaN
    • Transistor kind: HEMT
    • Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET