КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторы малой мощностиТранзисторы маломощныеMMUN2217LT1G

MMUN2217LT1G, Транзистор: PNP; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 246мВт; SOT23; R2: 10кОм, ON SEMICONDUCTOR

Арт:
MMUN2217LT1G, Транзистор: PNP; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 246мВт; SOT23; R2: 10кОм, ON SEMICONDUCTOR
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: MMUN2217LT1G
  • Производитель: ON SEMICONDUCTOR
  • Доп.наименование: Транзистор: PNP; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 246мВт; SOT23; R2: 10кОм
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: PNP; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 246мВт; SOT23; R2: 10кОм Технические параметры
    • Base resistor: 4.7kΩ
    • Base-emitter resistor: 10kΩ
    • Case: SOT23
    • Collector current: 0.1A
    • Collector-emitter voltage: 50V
    • Current gain: 35...60
    • Kind of package: tape
    • Manufacturer: ON SEMICONDUCTOR
    • Mounting: SMD
    • Polarisation: bipolar
    • Power dissipation: 246mW
    • Transistor kind: BRT
    • Type of transistor: PNP