NTS4173PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -0,8А; Idm: -5А; 290мВт, ON SEMICONDUCTOR
Арт:
- добавить в избранное
- Арт:
- Наименование: NTS4173PT1G
- Производитель: ON SEMICONDUCTOR
- Доп.наименование: Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -0,8А; Idm: -5А; 290мВт
- Склад:
Технические параметры
- Drain current: -0.8A
- Gate charge: 10.1nC
- Channel kind: enhanced
- Polarisation: unipolar
- Gate-source voltage: ±12V
- Drain-source voltage: -30V
- Pulsed drain current: -5A
- Mounting: SMD
- Case: SOT323
- Type of transistor: P-MOSFET
- On-State Resistance: 150mΩ
- Power dissipation: 290mW