Список комплектующих, который есть на нашем складе в Санкт-Петербурге и доступен для заказа.
Подробнее

КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторы малой мощностиТранзисторы маломощныеPMCXB1000UEZ

PMCXB1000UEZ, Транзистор: N/P-MOSFET; Trench; полевой; 30/-30В; 590/-410мА, NEXPERIA

Арт:
PMCXB1000UEZ, Транзистор: N/P-MOSFET; Trench; полевой; 30/-30В; 590/-410мА, NEXPERIA
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: PMCXB1000UEZ
  • Производитель: NEXPERIA
  • Доп.наименование: Транзистор: N/P-MOSFET; Trench; полевой; 30/-30В; 590/-410мА
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Технические параметры
    • Technology: Trench
    • Drain current: 590/-410mA
    • Gate charge: 1.05/1.2nC
    • Channel kind: enhanced
    • Polarisation: unipolar
    • Kind of package: tape
    • Gate-source voltage: ±8/±8V
    • Drain-source voltage: 30/-30V
    • Pulsed drain current: -1.7...2.3A
    • Features of semiconductor devices: ESD protected gate
    • Mounting: SMD
    • Case: SOT1216
    • Type of transistor: N/P-MOSFET
    • On-State Resistance: 670mΩ/1.4Ω