Список комплектующих, который есть на нашем складе в Санкт-Петербурге и доступен для заказа.
Подробнее

КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторы малой мощностиТранзисторы маломощныеPMDPB80XP,115

PMDPB80XP,115, Транзистор: P-MOSFET x2; Trench; полевой; -20В; -1,7А; Idm: -11А, NEXPERIA

Арт:
PMDPB80XP,115, Транзистор: P-MOSFET x2; Trench; полевой; -20В; -1,7А; Idm: -11А, NEXPERIA
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: PMDPB80XP,115
  • Производитель: NEXPERIA
  • Доп.наименование: Транзистор: P-MOSFET x2; Trench; полевой; -20В; -1,7А; Idm: -11А
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Технические параметры
    • Technology: Trench
    • Drain current: -1.7A
    • Gate charge: 8.6nC
    • Channel kind: enhanced
    • Polarisation: unipolar
    • Kind of package: tape
    • Gate-source voltage: ±12V
    • Drain-source voltage: -20V
    • Pulsed drain current: -11A
    • Mounting: SMD
    • Case: DFN2020-6
    • Type of transistor: P-MOSFET x2
    • On-State Resistance: 148mΩ