Список комплектующих, который есть на нашем складе в Санкт-Петербурге и доступен для заказа.
Подробнее

КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторы малой мощностиТранзисторы маломощныеPMDT290UNE,115

PMDT290UNE,115, Транзистор: N-MOSFET x2; Trench; полевой; 20В; 500мА; Idm: 3,2А, NEXPERIA

Арт:
PMDT290UNE,115, Транзистор: N-MOSFET x2; Trench; полевой; 20В; 500мА; Idm: 3,2А, NEXPERIA
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: PMDT290UNE,115
  • Производитель: NEXPERIA
  • Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET x2; Trench; полевой; 20В; 500мА; Idm: 3,2А
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Технические параметры
    • Technology: Trench
    • Drain current: 500mA
    • Gate charge: 680pC
    • Channel kind: enhanced
    • Polarisation: unipolar
    • Kind of package: tape
    • Gate-source voltage: ±8V
    • Drain-source voltage: 20V
    • Pulsed drain current: 3.2A
    • Mounting: SMD
    • Case: SOT666
    • Type of transistor: N-MOSFET x2
    • On-State Resistance: 610mΩ
    • Power dissipation: 500mW