Список комплектующих, который есть на нашем складе в Санкт-Петербурге и доступен для заказа.
Подробнее

КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторы малой мощностиТранзисторы маломощныеPMDXB1200UPEZ

PMDXB1200UPEZ, Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -30В; -260мА; Idm: -1,7А, NEXPERIA

Арт:
PMDXB1200UPEZ, Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -30В; -260мА; Idm: -1,7А, NEXPERIA
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: PMDXB1200UPEZ
  • Производитель: NEXPERIA
  • Доп.наименование: Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -30В; -260мА; Idm: -1,7А
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Технические параметры
    • Technology: Trench
    • Drain current: -260mA
    • Gate charge: 1.2nC
    • Channel kind: enhanced
    • Polarisation: unipolar
    • Kind of package: tape
    • Gate-source voltage: ±8V
    • Drain-source voltage: -30V
    • Pulsed drain current: -1.7A
    • Features of semiconductor devices: ESD protected gate
    • Mounting: SMD
    • Case: SOT1216
    • Type of transistor: P-MOSFET
    • On-State Resistance: 2.4Ω