Список комплектующих, который есть на нашем складе в Санкт-Петербурге и доступен для заказа.
Подробнее

КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторы малой мощностиТранзисторы маломощныеPMN100EPAX

PMN100EPAX, Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -60В; -1,6А; Idm: -10А, NEXPERIA

Арт:
PMN100EPAX, Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -60В; -1,6А; Idm: -10А, NEXPERIA
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: PMN100EPAX
  • Производитель: NEXPERIA
  • Доп.наименование: Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -60В; -1,6А; Idm: -10А
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Технические параметры
    • Technology: Trench
    • Drain current: -1.6A
    • Gate charge: 17nC
    • Channel kind: enhanced
    • Polarisation: unipolar
    • Kind of package: tape
    • Gate-source voltage: ±20V
    • Drain-source voltage: -60V
    • Pulsed drain current: -10A
    • Mounting: SMD
    • Case: TSOP6
    • Type of transistor: P-MOSFET
    • On-State Resistance: 276mΩ