Список комплектующих, который есть на нашем складе в Санкт-Петербурге и доступен для заказа.
Подробнее

КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторы малой мощностиТранзисторы маломощныеPMN50EPEX

PMN50EPEX, Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -30В; -2,9А; Idm: -19А, NEXPERIA

Арт:
PMN50EPEX, Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -30В; -2,9А; Idm: -19А, NEXPERIA
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: PMN50EPEX
  • Производитель: NEXPERIA
  • Доп.наименование: Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -30В; -2,9А; Idm: -19А
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Технические параметры
    • Technology: Trench
    • Drain current: -2.9A
    • Gate charge: 20nC
    • Channel kind: enhanced
    • Polarisation: unipolar
    • Kind of package: tape
    • Gate-source voltage: ±20V
    • Drain-source voltage: -30V
    • Pulsed drain current: -19A
    • Mounting: SMD
    • Case: TSOP6
    • Type of transistor: P-MOSFET
    • On-State Resistance: 67mΩ