КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторы малой мощностиТранзисторы маломощныеPMN70XPX

PMN70XPX, Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -20В; -2А; Idm: -13А, NEXPERIA

Арт:
PMN70XPX, Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -20В; -2А; Idm: -13А, NEXPERIA
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: PMN70XPX
  • Производитель: NEXPERIA
  • Доп.наименование: Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -20В; -2А; Idm: -13А
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -20В; -2А; Idm: -13А Технические параметры
    • Case: TSOP6
    • Channel kind: enhanced
    • Drain current: -2A
    • Drain-source voltage: -20V
    • Gate charge: 7.5нКл
    • Gate-source voltage: ±12V
    • Kind of package: tape
    • Manufacturer: NEXPERIA
    • Mounting: SMD
    • On-State Resistance: 130mΩ
    • Polarisation: unipolar
    • Pulsed drain current: -13A
    • Technology: Trench
    • Type of transistor: P-MOSFET