КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторы малой мощностиТранзисторы маломощныеPMPB16EPX

PMPB16EPX, Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -30В; -4,7А; Idm: -30А, NEXPERIA

Арт:
PMPB16EPX, Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -30В; -4,7А; Idm: -30А, NEXPERIA
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: PMPB16EPX
  • Производитель: NEXPERIA
  • Доп.наименование: Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -30В; -4,7А; Idm: -30А
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -30В; -4,7А; Idm: -30А Технические параметры
    • Case: SOT1220
    • Channel kind: enhanced
    • Drain current: -4.7A
    • Drain-source voltage: -30V
    • Features of semiconductor devices: ESD protected gate
    • Gate charge: 44нКл
    • Gate-source voltage: ±25V
    • Kind of package: tape
    • Manufacturer: NEXPERIA
    • Mounting: SMD
    • On-State Resistance: 34mΩ
    • Polarisation: unipolar
    • Pulsed drain current: -30A
    • Technology: Trench
    • Type of transistor: P-MOSFET