КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторы малой мощностиТранзисторы маломощныеPMPB27EPAX

PMPB27EPAX, Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -30В; -3,9А; Idm: -25А; 1,7Вт, NEXPERIA

Арт:
PMPB27EPAX, Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -30В; -3,9А; Idm: -25А; 1,7Вт, NEXPERIA
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: PMPB27EPAX
  • Производитель: NEXPERIA
  • Доп.наименование: Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -30В; -3,9А; Idm: -25А; 1,7Вт
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -30В; -3,9А; Idm: -25А; 1,7Вт Технические параметры
    • Case: SOT1220
    • Channel kind: enhanced
    • Drain current: -3.9A
    • Drain-source voltage: -30V
    • Features of semiconductor devices: ESD protected gate
    • Gate charge: 45нКл
    • Gate-source voltage: ±20V
    • Kind of package: tape
    • Manufacturer: NEXPERIA
    • Mounting: SMD
    • On-State Resistance: 45mΩ
    • Polarisation: unipolar
    • Power dissipation: 1.7W
    • Pulsed drain current: -25A
    • Technology: Trench
    • Type of transistor: P-MOSFET