КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторы малой мощностиТранзисторы маломощныеPMPB29XPEAX

PMPB29XPEAX, Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -20В; -3,2А; Idm: -12А, NEXPERIA

Арт:
PMPB29XPEAX, Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -20В; -3,2А; Idm: -12А, NEXPERIA
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: PMPB29XPEAX
  • Производитель: NEXPERIA
  • Доп.наименование: Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -20В; -3,2А; Idm: -12А
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -20В; -3,2А; Idm: -12А Технические параметры
    • Case: SOT1220
    • Channel kind: enhanced
    • Drain current: -3.2A
    • Drain-source voltage: -20V
    • Features of semiconductor devices: ESD protected gate
    • Gate charge: 45нКл
    • Gate-source voltage: ±12V
    • Kind of package: tape
    • Manufacturer: NEXPERIA
    • Mounting: SMD
    • On-State Resistance: 46mΩ
    • Polarisation: unipolar
    • Pulsed drain current: -12A
    • Technology: Trench
    • Type of transistor: P-MOSFET