Список комплектующих, который есть на нашем складе в Санкт-Петербурге и доступен для заказа.
Подробнее

КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторы малой мощностиТранзисторы маломощныеSI7252DP-T1-GE3

SI7252DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 100В; 29,2А; Idm: 80А, Vishay

Арт:
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: SI7252DP-T1-GE3
  • Производитель: Vishay
  • Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 100В; 29,2А; Idm: 80А
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Технические параметры
    • Technology: TrenchFET®
    • Drain current: 29.2A
    • Gate charge: 27nC
    • Channel kind: enhanced
    • Polarisation: unipolar
    • Kind of package: tape
    • Gate-source voltage: ±20V
    • Drain-source voltage: 100V
    • Pulsed drain current: 80A
    • Mounting: SMD
    • Case: PowerPAK® SO8
    • Type of transistor: N-MOSFET x2
    • On-State Resistance: 21mΩ
    • Power dissipation: 29W
    BC Сomponents
    BC Сomponents

    Компания BC Сomponents (Beyschlag Centralab), ведущий европейский изготовитель пассивных электронных компонентов, возникла при разделения компании Philips в январе 1999. С 2002 года BC Сomponents входит в состав компании Vishay. Прежний портфель и... Читать далее >