КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторы малой мощностиТранзисторы маломощныеNTE102A

NTE102A, Транзистор: PNP; биполярный; германиевый; 32В; 1А; 650мВт; TO1, NTE

Арт: 171-02-993
NTE102A, Транзистор: PNP; биполярный; германиевый; 32В; 1А; 650мВт; TO1, NTE
  • добавить в избранное
  • Арт: 171-02-993
  • Наименование: NTE102A
  • Производитель: NTE
  • Доп.наименование: Транзистор: PNP; биполярный; германиевый; 32В; 1А; 650мВт; TO1
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: PNP; биполярный; германиевый; 32В; 1А; 650мВт; TO1 Семейство Транзисторы Ge Технические параметры
    • Collector Emitter Saturation Voltage Max. (Vce(sat)): 170mV
    • Collector-Base Voltage (Vcbo): 32V
    • Continuous Collector Current (Ic): 1A
    • Emitter-Base Voltage (Vebo): 10V
    • Height Units: 3
    • Manufacturer: NTE
    • Mounting Type: Through Hole
    • Number of Tools: 69
    • Operating Temperature Max.: 90°C
    • Operating Temperature Min.: -55°C
    • Optical Sensor Output Type: PNP
    • Package Type: TO1
    • Phases: Single
    • Power Dissipation (Pd): 650mW
    • Ripple & Noise (%): -999