Изображение товара дано только в качестве иллюстрации.
См. спецификацию продукта (pdf)
Технические параметры
Power Transistor, Type: ZXTN25012EFHTA, Base Emitter Saturation Voltage Max. (Vbe(sat))=1 V, Collector Emitter Saturation Voltage Max. (Vce(sat))=32 mV,