КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыМощные транзисторыMJE243G

MJE243G, Транзистор: NPN; биполярный; 100В; 4А; 15Вт; TO225, ON SEMICONDUCTOR

Арт: 171-01-939
MJE243G, Транзистор: NPN; биполярный; 100В; 4А; 15Вт; TO225, ON SEMICONDUCTOR
  • добавить в избранное
  • Арт: 171-01-939
  • Наименование: MJE243G
  • Производитель: ON SEMICONDUCTOR
  • Доп.наименование: Транзистор: NPN; биполярный; 100В; 4А; 15Вт; TO225
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: NPN; биполярный; 100В; 4А; 15Вт; TO225 Семейство Силовые транзисторы Технические параметры
    • Base Emitter Saturation Voltage Max. (Vbe(sat)): 1.8V
    • Collector Emitter Saturation Voltage Max. (Vce(sat)): 600mV
    • Collector-Base Voltage (Vcbo): 100V
    • Collector-Emitter Voltage (Vceo): 100V
    • Continuous Collector Current (Ic): 4A
    • Emitter-Base Voltage (Vebo): 4V
    • Height Units: 3
    • HP Rating: 15
    • Manufacturer: ON SEMICONDUCTOR
    • Mounting Type: Through Hole
    • Operating Temperature Max.: 150°C
    • Operating Temperature Min.: -65°C
    • Optical Sensor Output Type: NPN
    • Package Type: TO-225
    • Packaging: Bulk Box
    • Phases: Single
    • Power Dissipation (Pd): 1.5W
    • Reflow Temperature Max.: 260°C
    • Transit Frequency: 40MHz