КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыМощные транзисторыBD139-16

BD139-16, Power transistor TO-126 NPN 80 V, -

Арт: 171-30-049
BD139-16, Power transistor TO-126 NPN 80 V, -
  • добавить в избранное
  • Арт: 171-30-049
  • Наименование: BD139-16
  • Производитель: -
  • Доп.наименование: Power transistor TO-126 NPN 80 V
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Power transistor TO-126 NPN 80 V Семейство Силовые транзисторы NF Технические параметры
    • Base Emitter Saturation Voltage Max. (Vbe(sat)): 1V
    • Collector Emitter Saturation Voltage Max. (Vce(sat)): 500mV
    • Collector-Base Voltage (Vcbo): 45V
    • Collector-Emitter Voltage (Vceo): 45V
    • Continuous Collector Current (Ic): 5A
    • Emitter-Base Voltage (Vebo): 5V
    • Height Units: 3
    • Manufacturer: -
    • Mounting Type: Through Hole
    • Number of Sheets: 25
    • Operating Temperature Max.: 150°C
    • Operating Temperature Min.: -65°C
    • Optical Sensor Output Type: NPN
    • Package Type: SOT-32
    • Packaging: Tube
    • Phases: Single
    • Power Dissipation (Pd): 1.25W