КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыМощные транзисторыMJE15032G

MJE15032G, Транзистор: NPN; биполярный; 250В; 8А; 50Вт; TO220, ON SEMICONDUCTOR

Арт: 302-40-343
MJE15032G, Транзистор: NPN; биполярный; 250В; 8А; 50Вт; TO220, ON SEMICONDUCTOR
  • добавить в избранное
  • Арт: 302-40-343
  • Наименование: MJE15032G
  • Производитель: ON SEMICONDUCTOR
  • Доп.наименование: Транзистор: NPN; биполярный; 250В; 8А; 50Вт; TO220
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Технические параметры
    • Case: TO220
    • Collector current: 8A
    • Collector Emitter Saturation Voltage Max. (Vce(sat)): 500mV
    • Collector-Base Voltage (Vcbo): 250V
    • Collector-emitter voltage: 250V
    • Collector-Emitter Voltage (Vceo): 250V
    • Continuous Collector Current (Ic): 8A
    • Emitter-Base Voltage (Vebo): 5V
    • Frequency: 30MHz
    • Height Units: 3
    • Housing: TO220
    • Manufacturer: ON SEMICONDUCTOR
    • Mating Cycles: 50
    • Mount: THT
    • Mounting: THT
    • Mounting Type: Through Hole
    • Operating Temperature Max.: 150°C
    • Operating Temperature Min.: -65°C
    • Optical Sensor Output Type: NPN
    • Package Type: TO-220
    • Packaging: Tube
    • Phases: Single
    • Polarisation: bipolar
    • Polarity: биполярный
    • Power Dissipation (Pd): 50W
    • Ripple & Noise (%): -999
    • Transistor type: NPN
    • Transit Frequency: 30MHz
    • Мощность: 50W
    • Напряжение коллектор-эмиттер: 250V