КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыМощные транзисторыMJE350G

MJE350G, Транзистор: PNP; биполярный; 300В; 0,5А; 20Вт; TO225, ON SEMICONDUCTOR

Арт: 171-03-880
MJE350G, Транзистор: PNP; биполярный; 300В; 0,5А; 20Вт; TO225, ON SEMICONDUCTOR
  • добавить в избранное
  • Арт: 171-03-880
  • Наименование: MJE350G
  • Производитель: ON SEMICONDUCTOR
  • Доп.наименование: Транзистор: PNP; биполярный; 300В; 0,5А; 20Вт; TO225
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: PNP; биполярный; 300В; 0,5А; 20Вт; TO225 Семейство Силовые транзисторы Технические параметры
    • Collector-Emitter Voltage (Vceo): 300V
    • Continuous Collector Current (Ic): 500mA
    • Emitter-Base Voltage (Vebo): 3V
    • Height Units: 3
    • Manufacturer: ON SEMICONDUCTOR
    • Mounting Type: Through Hole
    • Operating Temperature Max.: 150°C
    • Operating Temperature Min.: -65°C
    • Optical Sensor Output Type: PNP
    • Package Type: TO-225
    • Packaging: Bulk Box
    • Phases: Single
    • Pins: 240
    • Power Dissipation (Pd): 20W
    • Reflow Temperature Max.: 260°C
    • Ripple & Noise (%): -999