КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыМощные транзисторыBD137G

BD137G, Power transistor TO-126 NPN 60 V, ON SEMICONDUCTOR

Арт: 171-03-666
BD137G, Power transistor TO-126 NPN 60 V, ON SEMICONDUCTOR
  • добавить в избранное
  • Арт: 171-03-666
  • Наименование: BD137G
  • Производитель: ON SEMICONDUCTOR
  • Доп.наименование: Power transistor TO-126 NPN 60 V
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Power transistor TO-126 NPN 60 V Семейство Силовые транзисторы Технические параметры
    • Collector Emitter Saturation Voltage Max. (Vce(sat)): 500mV
    • Collector-Base Voltage (Vcbo): 60V
    • Collector-Emitter Voltage (Vceo): 60V
    • Continuous Collector Current (Ic): 1.5A
    • Emitter-Base Voltage (Vebo): 5V
    • Height Units: 3
    • Manufacturer: ON SEMICONDUCTOR
    • Mounting Type: Through Hole
    • Number of Sheets: 25
    • Operating Temperature Max.: 150°C
    • Operating Temperature Min.: -55°C
    • Optical Sensor Output Type: NPN
    • Package Type: TO-225
    • Packaging: Bulk Box
    • Phases: Single
    • Power Dissipation (Pd): 1.25W
    • Reflow Temperature Max.: 260°C
    • Ripple & Noise (%): -999