КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыМощные транзисторыBD237

BD237, Power transistor TO-126 NPN 80 V, ON SEMICONDUCTOR

Арт: 171-61-060
BD237, Power transistor TO-126 NPN 80 V, ON SEMICONDUCTOR
  • добавить в избранное
  • Арт: 171-61-060
  • Наименование: BD237
  • Производитель: ON SEMICONDUCTOR
  • Доп.наименование: Power transistor TO-126 NPN 80 V
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Power transistor TO-126 NPN 80 V Семейство Силовые транзисторы NF Технические параметры
    • Base Emitter Saturation Voltage Max. (Vbe(sat)): 1.3V
    • Collector Emitter Saturation Voltage Max. (Vce(sat)): 600mV
    • Collector-Base Voltage (Vcbo): 100V
    • Collector-Emitter Voltage (Vceo): 80V
    • Continuous Collector Current (Ic): 2A
    • Emitter-Base Voltage (Vebo): 5V
    • Height Units: 3
    • Manufacturer: ON SEMICONDUCTOR
    • Mounting Type: Through Hole
    • Number of Sheets: 25
    • Operating Temperature Max.: 150°C
    • Operating Temperature Min.: -55°C
    • Optical Sensor Output Type: NPN
    • Package Type: TO-225
    • Phases: Single
    • Power Dissipation (Pd): 25W
    • Transit Frequency: 3MHz