КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторы ДарлингтонаMJD122G

MJD122G, Транзистор: NPN; биполярный; Дарлингтон; 100В; 8А; 1,75Вт; DPAK, ON SEMICONDUCTOR

Арт: 171-00-051
MJD122G, Транзистор: NPN; биполярный; Дарлингтон; 100В; 8А; 1,75Вт; DPAK, ON SEMICONDUCTOR
  • добавить в избранное
  • Арт: 171-00-051
  • Наименование: MJD122G
  • Производитель: ON SEMICONDUCTOR
  • Доп.наименование: Транзистор: NPN; биполярный; Дарлингтон; 100В; 8А; 1,75Вт; DPAK
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: NPN; биполярный; Дарлингтон; 100В; 8А; 1,75Вт; DPAK Семейство Силовые пары Дарлингтона Технические параметры
    • Automotive Qualification Standard: AEC-Q101
    • Base Emitter Saturation Voltage Max. (Vbe(sat)): 4.5V
    • Collector Emitter Saturation Voltage Max. (Vce(sat)): 4V
    • Collector-Base Voltage (Vcbo): 100V
    • Collector-Emitter Voltage (Vceo): 100V
    • Continuous Collector Current (Ic): 8A
    • Emitter-Base Voltage (Vebo): 5V
    • Height Units: 3
    • Manufacturer: ON SEMICONDUCTOR
    • Mounting Type: SMD
    • MSL: Level-1
    • Operating Temperature Max.: 150°C
    • Operating Temperature Min.: -65°C
    • Optical Sensor Output Type: NPN
    • Package Type: DPAK
    • Packaging: Tube
    • Phases: Single
    • Power Dissipation (Pd): 20W
    • Quantity: 100
    • Reflow Temperature Max.: 260°C