ГлавнаяКаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыПолевые транзисторы малой мощностиПолевые транзисторы малой мощности
Цены указаны без НДС
G3R20MT17N Модуль; одиночный транзистор; 1,7кВ; 70А; SOT227B; винтами; 523Вт
Модуль; одиночный транзистор; 1,7кВ; 70А; SOT227B; винтами; 523Вт
производитель:
GeneSiC
Склад:
Цены указаны без НДС
G3R30MT12J Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 68А; Idm: 200А; 459Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 68А; Idm: 200А; 459Вт
производитель:
GeneSiC
Склад:
Цены указаны без НДС
G3R40MT12J Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 53А; Idm: 140А; 374Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 53А; Idm: 140А; 374Вт
производитель:
GeneSiC
Склад:
Цены указаны без НДС
G3R450MT17J Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 6А; Idm: 16А; 91Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 6А; Idm: 16А; 91Вт
производитель:
GeneSiC
Склад:
Цены указаны без НДС
G3R75MT12J Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 30А; Idm: 80А; 224Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 30А; Idm: 80А; 224Вт
производитель:
GeneSiC
Склад:
Цены указаны без НДС
GT15J341,S4X(S Транзистор: IGBT; 600В; 15А; 30Вт; TO220FP
Транзистор: IGBT; 600В; 15А; 30Вт; TO220FP
производитель:
Toshiba
Склад:
Цены указаны без НДС
GT20J341,S4X(S Транзистор: IGBT; 600В; 11А; 45Вт; TO220FP
Транзистор: IGBT; 600В; 11А; 45Вт; TO220FP
производитель:
Toshiba
Склад:
Цены указаны без НДС
GT30J121(Q) Транзистор: IGBT; 600В; 30А; 170Вт; TO3PN
Транзистор: IGBT; 600В; 30А; 170Вт; TO3PN
производитель:
Toshiba
Склад:
Цены указаны без НДС
GT50JR21(STA1,E,S) Транзистор: IGBT; 600В; 49А; 230Вт; TO3PN
Транзистор: IGBT; 600В; 49А; 230Вт; TO3PN
производитель:
Toshiba
Склад:
Цены указаны без НДС
GT50JR22(STA1,E,S) Транзистор: IGBT; 600В; 44А; 115Вт; TO3PN
Транзистор: IGBT; 600В; 44А; 115Вт; TO3PN
производитель:
Toshiba
Склад:
Цены указаны без НДС
HGT1S10N120BNST Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 17А; 298Вт; D2PAK
Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 17А; 298Вт; D2PAK
производитель:
ON SEMICONDUCTOR
Склад:
Цены указаны без НДС
HGTG11N120CND Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 22А; 298Вт; TO247
Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 22А; 298Вт; TO247
производитель:
ON SEMICONDUCTOR
Склад:
Цены указаны без НДС
HGTG20N60B3D Транзистор: IGBT; 600В; 20А; 165Вт; TO247
Транзистор: IGBT; 600В; 20А; 165Вт; TO247
производитель:
ON SEMICONDUCTOR
Склад:
Цены указаны без НДС
HGTG40N60A4 Транзистор: IGBT; 600В; 63А; 625Вт; TO247
Транзистор: IGBT; 600В; 63А; 625Вт; TO247
производитель:
ON SEMICONDUCTOR
Склад:
Цены указаны без НДС
HGTG5N120BND Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 10А; 167Вт; TO247
Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 10А; 167Вт; TO247
производитель:
ON SEMICONDUCTOR
Склад:
Цены указаны без НДС
HGTP12N60C3D Транзистор: IGBT; 600В; 12А; 167Вт; TO220
Транзистор: IGBT; 600В; 12А; 167Вт; TO220
производитель:
ON SEMICONDUCTOR
Склад:
Цены указаны без НДС
HUF75332P3 Транзистор: МОП n-канальный; полевой; 55В; 60А; 145Вт; TO220AB
Транзистор: МОП n-канальный; полевой; 55В; 60А; 145Вт; TO220AB
производитель:
ON SEMICONDUCTOR
Склад:
Цены указаны без НДС
HUF75344G3 Транзистор: МОП n-канальный; полевой; 55В; 75А; 285Вт; TO247
Транзистор: МОП n-канальный; полевой; 55В; 75А; 285Вт; TO247
производитель:
ON SEMICONDUCTOR
Склад:
Цены указаны без НДС
HUF75639P3 Транзистор: МОП n-канальный; полевой; 100В; 56А; 200Вт; TO220AB
Транзистор: МОП n-канальный; полевой; 100В; 56А; 200Вт; TO220AB
производитель:
ON SEMICONDUCTOR
Склад:
Цены указаны без НДС
HUF75639S3ST Транзистор: МОП n-канальный; полевой; 100В; 56А; 200Вт; TO263AB
Транзистор: МОП n-канальный; полевой; 100В; 56А; 200Вт; TO263AB
производитель:
ON SEMICONDUCTOR
Склад: