Список комплектующих, который есть на нашем складе в Санкт-Петербурге и доступен для заказа.
Подробнее

КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыПолевые транзисторы малой мощностиПолевые транзисторы малой мощностиAPT10050JVFR

APT10050JVFR, Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 19А; ISOTOP; Ugs: ±30В; винтами, MICROSEMI

Арт:
APT10050JVFR, Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 19А; ISOTOP; Ugs: ±30В; винтами, MICROSEMI
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: APT10050JVFR
  • Производитель: MICROSEMI
  • Доп.наименование: Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 19А; ISOTOP; Ugs: ±30В; винтами
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Технические параметры
    • Technology: POWER MOS 5®
    • Drain current: 19A
    • Module type: MOSFET transistor
    • Channel kind: enhanced
    • Polarisation: unipolar
    • Electrical mounting: screw
    • Gate-source voltage: ±30V
    • Mechanical mounting: screw
    • Drain-source voltage: 1kV
    • Pulsed drain current: 76A
    • Semiconductor structure: single transistor
    • Case: ISOTOP
    • On-State Resistance: 500mΩ
    • Power dissipation: 450W