Список комплектующих, который есть на нашем складе в Санкт-Петербурге и доступен для заказа.
Подробнее

КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыПолевые транзисторы малой мощностиПолевые транзисторы малой мощностиAPT1201R6SVFRG

APT1201R6SVFRG, Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; полевой; 1,2кВ; 8А; Idm: 32А, MICROSEMI

Арт:
APT1201R6SVFRG, Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; полевой; 1,2кВ; 8А; Idm: 32А, MICROSEMI
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: APT1201R6SVFRG
  • Производитель: MICROSEMI
  • Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; полевой; 1,2кВ; 8А; Idm: 32А
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Технические параметры
    • Technology: POWER MOS 5®
    • Drain current: 8A
    • Gate charge: 230nC
    • Channel kind: enhanced
    • Polarisation: unipolar
    • Gate-source voltage: ±30V
    • Drain-source voltage: 1.2kV
    • Pulsed drain current: 32A
    • Mounting: SMD
    • Case: D3PAK
    • Type of transistor: N-MOSFET
    • On-State Resistance: 1.6Ω
    • Power dissipation: 280W