КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыПолевые транзисторы малой мощностиПолевые транзисторы малой мощностиAPT80GA90S

APT80GA90S, Транзистор: IGBT; PT; 900В; 80А; 625Вт; D3PAK, MICROSEMI

Арт:
APT80GA90S, Транзистор: IGBT; PT; 900В; 80А; 625Вт; D3PAK, MICROSEMI
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: APT80GA90S
  • Производитель: MICROSEMI
  • Доп.наименование: Транзистор: IGBT; PT; 900В; 80А; 625Вт; D3PAK
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: IGBT; PT; 900В; 80А; 625Вт; D3PAK Технические параметры
    • Case: D3PAK
    • Collector current: 80A
    • Collector-emitter voltage: 900V
    • Gate - emitter voltage: ±30V
    • Gate charge: 200нКл
    • Kind of package: tube
    • Manufacturer: MICROSEMI
    • Mounting: SMD
    • Power dissipation: 625W
    • Pulsed collector current: 239A
    • Technology: PT
    • Turn-off time: 320ns
    • Turn-on time: 49ns
    • Type of transistor: IGBT