Список комплектующих, который есть на нашем складе в Санкт-Петербурге и доступен для заказа.
Подробнее

КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыПолевые транзисторы малой мощностиПолевые транзисторы малой мощностиZXMC10A816N8TA

ZXMC10A816N8TA, Транзистор: N/P-MOSFET; 100В; 1,7А; Idm: 9,4А; 1,3Вт; SO8, Diodes/Zetex

Арт:
ZXMC10A816N8TA, Транзистор: N/P-MOSFET; 100В; 1,7А; Idm: 9,4А; 1,3Вт; SO8, Diodes/Zetex
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: ZXMC10A816N8TA
  • Производитель: Diodes/Zetex
  • Доп.наименование: Транзистор: N/P-MOSFET; 100В; 1,7А; Idm: 9,4А; 1,3Вт; SO8
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Технические параметры
    • Drain current: 1.7A
    • Gate charge: 9.2nC
    • Gate-source voltage: ±20V
    • Drain-source voltage: 100V
    • Pulsed drain current: 9.4A
    • Case: SO8
    • Type of transistor: N/P-MOSFET
    • On-State Resistance: 170mΩ
    • Power dissipation: 1.3W