ZXMC10A816N8TA, Транзистор: N/P-MOSFET; 100В; 1,7А; Idm: 9,4А; 1,3Вт; SO8, Diodes/Zetex
Арт:
- добавить в избранное
- Арт:
- Наименование: ZXMC10A816N8TA
- Производитель: Diodes/Zetex
- Доп.наименование: Транзистор: N/P-MOSFET; 100В; 1,7А; Idm: 9,4А; 1,3Вт; SO8
- Склад:
Технические параметры
- Drain current: 1.7A
- Gate charge: 9.2nC
- Gate-source voltage: ±20V
- Drain-source voltage: 100V
- Pulsed drain current: 9.4A
- Case: SO8
- Type of transistor: N/P-MOSFET
- On-State Resistance: 170mΩ
- Power dissipation: 1.3W