Технические параметры
- Корпус: Half-Bridge Module
- Монтаж: винтами
- Мощность: 1.76кВт
- Ток стока: 225А
- топология: полумост MOSFET
- Полярность: полевой
- Технология: C2M™
- Тип модуля: транзисторный
- Рабочая температура: -40...125°C
- Импульсный ток: 900А
- Конструкция диода: транзистор/транзистор
- Электрический монтаж: винтами
- Напряжение сток-исток: 1.7кВ
- Напряжение затвор-исток: -5...20В
- Сопротивление в открытом состоянии: 8мОм