BSC109N10NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 63А; 78Вт; PG-TDSON-8, Infineon
Арт:
- добавить в избранное
- Арт:
- Наименование: BSC109N10NS3GATMA1
- Производитель: Infineon
- Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 63А; 78Вт; PG-TDSON-8
- Склад:
Изображение товара дано только в качестве иллюстрации.
См. спецификацию продукта (pdf)
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 63А; 78Вт; PG-TDSON-8 Технические параметры
- Case: PG-TDSON-8
- Drain current: 63A
- Drain-source voltage: 100V
- Gate-source voltage: ±20В
- Housing: PG-TDSON-8
- Manufacturer: Infineon
- Mount: SMD
- Mounting: SMD
- On-State Resistance: 10.9MΩ
- Polarisation: unipolar
- Polarity: полевой
- Technology: OptiMOS™ 3
- Transistor type: N-MOSFET
- Мощность: 78W
- Сопротивление в открытом состоянии: 10.9mΩ
- Ток стока: 63A
Документация
tmbsc109n10ns3g-dte.pdf
