КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыПолевые транзисторы малой мощностиПолевые транзисторы малой мощностиBSC109N10NS3GATMA1

BSC109N10NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 63А; 78Вт; PG-TDSON-8, Infineon

Арт:
BSC109N10NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 63А; 78Вт; PG-TDSON-8, Infineon
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: BSC109N10NS3GATMA1
  • Производитель: Infineon
  • Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 63А; 78Вт; PG-TDSON-8
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Технические параметры
    • Корпус: PG-TDSON-8
    • Монтаж: SMD
    • Мощность: 78Вт
    • Ток стока: 63А
    • Полярность: полевой
    • Технология: OptiMOS™ 3
    • Тип транзистора: N-MOSFET
    • Напряжение сток-исток: 100В
    • Напряжение затвор-исток: ±20В
    • Сопротивление в открытом состоянии: 10.9мОм