IPB019N08N3G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 180А; 300Вт; PG-TO263-7, Infineon
Арт:
- добавить в избранное
- Арт:
- Наименование: IPB019N08N3G
- Производитель: Infineon
- Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 180А; 300Вт; PG-TO263-7
- Склад:
Технические параметры
- Корпус: PG-TO263-7
- Монтаж: SMD
- Мощность: 300Вт
- Ток стока: 180А
- Полярность: полевой
- Технология: OptiMOS™ 3
- Тип транзистора: N-MOSFET
- Напряжение сток-исток: 80В
- Напряжение затвор-исток: ±20В
- Сопротивление в открытом состоянии: 1.9мОм