КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыПолевые транзисторы малой мощностиПолевые транзисторы малой мощностиIPB019N08N3G

IPB019N08N3G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 180А; 300Вт; PG-TO263-7, Infineon

Арт:
IPB019N08N3G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 180А; 300Вт; PG-TO263-7, Infineon
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: IPB019N08N3G
  • Производитель: Infineon
  • Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 180А; 300Вт; PG-TO263-7
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 180А; 300Вт; PG-TO263-7 Технические параметры
    • Case: PG-TO263-7
    • Drain current: 180A
    • Drain-source voltage: 80V
    • Gate-source voltage: ±20В
    • Housing: PG-TO263-7
    • Manufacturer: Infineon
    • Mount: SMD
    • Mounting: SMD
    • On-State Resistance: 1.9mΩ
    • Polarisation: unipolar
    • Polarity: полевой
    • Technology: OptiMOS™ 3
    • Transistor type: N-MOSFET
    • Мощность: 300W
    • Сопротивление в открытом состоянии: 1.9mΩ
    • Ток стока: 180A