КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыПолевые транзисторы малой мощностиПолевые транзисторы малой мощностиIXTT100N25P

IXTT100N25P, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 100А; 600Вт; TO268, IXYS

Арт:
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: IXTT100N25P
  • Производитель: IXYS
  • Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 100А; 600Вт; TO268
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 100А; 600Вт; TO268 Технические параметры
    • Case: TO268
    • Drain current: 100A
    • Drain-source voltage: 250V
    • Gate-source voltage: ±20В
    • Housing: TO268
    • Manufacturer: IXYS
    • Mount: SMD
    • Mounting: SMD
    • On-State Resistance: 27mΩ
    • Polarisation: unipolar
    • Polarity: полевой
    • Transistor type: N-MOSFET
    • Мощность: 600W
    • Сопротивление в открытом состоянии: 27mΩ
    • Ток стока: 100A