КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыПолевые транзисторы малой мощностиПолевые транзисторы малой мощностиIXTT170N10P

IXTT170N10P, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 170А; 715Вт; TO268, IXYS

Арт:
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: IXTT170N10P
  • Производитель: IXYS
  • Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 170А; 715Вт; TO268
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Технические параметры
    • Корпус: TO268
    • Монтаж: SMD
    • Мощность: 715Вт
    • Ток стока: 170А
    • Полярность: полевой
    • Тип транзистора: N-MOSFET
    • Напряжение сток-исток: 100В
    • Напряжение затвор-исток: ±20В
    • Сопротивление в открытом состоянии: 9мОм