КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыПолевые транзисторы малой мощностиПолевые транзисторы малой мощностиIXTT170N10P

IXTT170N10P, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 170А; 715Вт; TO268, IXYS

Арт:
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: IXTT170N10P
  • Производитель: IXYS
  • Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 170А; 715Вт; TO268
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 170А; 715Вт; TO268 Технические параметры
    • Case: TO268
    • Drain current: 170A
    • Drain-source voltage: 100V
    • Gate-source voltage: ±20В
    • Housing: TO268
    • Manufacturer: IXYS
    • Mount: SMD
    • Mounting: SMD
    • On-State Resistance: 9mΩ
    • Polarisation: unipolar
    • Polarity: полевой
    • Transistor type: N-MOSFET
    • Мощность: 715W
    • Сопротивление в открытом состоянии: 9mΩ
    • Ток стока: 170A