IXTY2R4N50P, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 2,4А; 55Вт; TO252, IXYS
Арт:
- добавить в избранное
- Арт:
- Наименование: IXTY2R4N50P
- Производитель: IXYS
- Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 2,4А; 55Вт; TO252
- Склад:
Изображение товара дано только в качестве иллюстрации.
См. спецификацию продукта (pdf)
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 2,4А; 55Вт; TO252 Технические параметры
- Case: TO252
- Drain current: 2.4A
- Drain-source voltage: 500V
- Gate-source voltage: ±30В
- Housing: TO252
- Manufacturer: IXYS
- Mount: SMD
- Mounting: SMD
- On-State Resistance: 3750mΩ
- Polarisation: unipolar
- Polarity: полевой
- Transistor type: N-MOSFET
- Мощность: 55W
- Сопротивление в открытом состоянии: 3750mΩ
- Ток стока: 2.4A
Документация
tmixty2r4n50p-dte.pdf
