КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыПолевые транзисторы малой мощностиПолевые транзисторы малой мощностиMMBFJ113

MMBFJ113, Транзистор: N-JFET; полевой; 2мА; 350мВт; SOT23, ON SEMICONDUCTOR

Арт:
MMBFJ113, Транзистор: N-JFET; полевой; 2мА; 350мВт; SOT23, ON SEMICONDUCTOR
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: MMBFJ113
  • Производитель: ON SEMICONDUCTOR
  • Доп.наименование: Транзистор: N-JFET; полевой; 2мА; 350мВт; SOT23
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Технические параметры
    • Корпус: SOT23
    • Монтаж: SMD
    • Мощность: 350мВт
    • Полярность: полевой
    • Вид упаковки: бобина
    • Ток управления: 50мА
    • Тип транзистора: N-JFET
    • Напряжение затвор-исток: -35В
    • Сопротивление в открытом состоянии: 100Ом